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LM5101BSD/NOPB
4.209
LM5101BSD/NOPB 数据手册 (36 页)
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LM5101BSD/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
电源电压
14.0V (max)
封装
WDFN-10
上升/下降时间
570ns, 430ns
输出接口数
2 Output
输出电流
2 A
静态电流
200 µA
上升时间
570 ns
下降时间
430 ns
下降时间(Max)
430 ns
上升时间(Max)
570 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
9V ~ 14V

LM5101BSD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4 mm
宽度
4 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

LM5101BSD/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
36 页 / 1.71 MByte

LM5101 数据手册

TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
高电压高侧和低侧栅极驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101AM/NOPB  芯片, MOSFET栅极驱动器
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101CMA/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 1A输出, 22ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
门驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver 8-SOIC
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101ASD/NOPB  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 3A输出, WSON-10
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