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LM5101CMA/NOPB
器件3D模型
4.209
LM5101CMA/NOPB 数据手册 (37 页)
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LM5101CMA/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
9.00V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
990ns, 715ns
输出接口数
2 Output
输出电压
118 V
输出电流
1 A
针脚数
8 Position
静态电流
200 µA
上升时间
990 ns
下降时间
715 ns
下降时间(Max)
715 ns
上升时间(Max)
990 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
9V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
9 V

LM5101CMA/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

LM5101CMA/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
37 页 / 1.72 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.19 MByte
TI(德州仪器)
8 页 / 0.21 MByte

LM5101 数据手册

TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
高电压高侧和低侧栅极驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101AM/NOPB  芯片, MOSFET栅极驱动器
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101CMA/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 1A输出, 22ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
门驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver 8-SOIC
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101ASD/NOPB  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 3A输出, WSON-10
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