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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > TI(德州仪器) > LM5107SD/NOPB Datasheet 文档
LM5107SD/NOPB
2.274
LM5107SD/NOPB 数据手册 (18 页)
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LM5107SD/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
8.00V (min)
封装
WDFN-8
上升/下降时间
15 ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
静态电流
300 µA
上升时间
15 ns
下降时间
15 ns
下降时间(Max)
15 ns
上升时间(Max)
15 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
8V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
8 V

LM5107SD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4 mm
宽度
4 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5107SD/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
18 页 / 0.81 MByte
TI(德州仪器)
31 页 / 0.79 MByte

LM5107 数据手册

TI(德州仪器)
100V / 1.4A 峰值半桥接闸极驱动器
TI(德州仪器)
MOSFET驱动器, 半桥, 8 V至14 V电源, 1.4 A输出, 27 ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5107SD/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1.4A输出, 27ns延迟, WSON-8
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5107MA  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1.4A输出, 27ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
LM5107 100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器 LM5107 100V / 1.4A Peak Half Bridge Gate Driver
TI(德州仪器)
LM5107 100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器 LM5107 100V / 1.4A Peak Half Bridge Gate Driver
TI(德州仪器)
LM5107 100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器 LM5107 100V / 1.4A Peak Half Bridge Gate Driver
TI(德州仪器)
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