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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > TI(德州仪器) > LM5110-1MX/NOPB Datasheet 文档
LM5110-1MX/NOPB
器件3D模型
1.31
LM5110-1MX/NOPB 数据手册 (26 页)
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LM5110-1MX/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
2 Output
静态电流
1.00 mA
上升时间
25 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.5V ~ 14V

LM5110-1MX/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5110-1MX/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
26 页 / 1.01 MByte
TI(德州仪器)
129 页 / 9.44 MByte
TI(德州仪器)
26 页 / 1.02 MByte

LM51101 数据手册

TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5110-1M/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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