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LM5111-1MY/NOPB
1.728
LM5111-1MY/NOPB 数据手册 (18 页)
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LM5111-1MY/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
3.50V (min)
封装
PowerPad-MSOP-8
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
上升时间
25 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.5V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
3.5 V

LM5111-1MY/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.86 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5111-1MY/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
18 页 / 0.86 MByte
TI(德州仪器)
14 页 / 0.38 MByte

LM51111 数据手册

TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
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TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5111-1M  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5111-1MY  双功率驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, MSOP-8
TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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