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器件3D模型
¥ 2.513
LM5112SD/NOPB 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
WDFN-6
描述:
TEXAS INSTRUMENTS LM5112SD/NOPB 芯片, 场效应管, MOSFET, 门驱动器, LLP-6, 整卷
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LM5112SD/NOPB 数据手册 (16 页)
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LM5112SD/NOPB 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
电源电压
14.0V (max)
封装
WDFN-6
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
1 Output
输出电流
7.00 A
针脚数
6 Position
静态电流
1.00 mA
上升时间
14 ns
下降时间
12 ns
下降时间(Max)
12 ns
上升时间(Max)
14 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.5V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
3.5 V
查看数据手册 >
LM5112SD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
查看数据手册 >
LM5112SD/NOPB 符合标准
LM5112SD/NOPB 概述
●
MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments
●
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
●
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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LM5112SD/NOPB 数据手册
LM5112SD/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
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21 页 / 0.89 MByte
LM5112SD/NOPB
产品修订记录
TI(德州仪器)
12 页 / 0.35 MByte
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LM5112
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TEXAS INSTRUMENTS LM5112MY/NOPB 驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 7A输出, 25ns延迟, MSOP-8
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微小7A MOSFET栅极驱动器 Tiny 7A MOSFET Gate Driver
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SD/NOPB
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TEXAS INSTRUMENTS LM5112SD/NOPB 芯片, 场效应管, MOSFET, 门驱动器, LLP-6, 整卷
LM5112
SD
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微小7A MOSFET栅极驱动器 Tiny 7A MOSFET Gate Driver
LM5112
MYX
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微小7A MOSFET栅极驱动器 Tiny 7A MOSFET Gate Driver
LM5112
MY
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TEXAS INSTRUMENTS LM5112MY 驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 7A输出, 25ns延迟, MSOP-8
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