￥ 4.456

LM5113SD/NOPB 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

FET驱动器

封装:

WSON-10

描述:

TEXAS INSTRUMENTS LM5113SD/NOPB MOSFET驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

LM5113SD/NOPB 数据手册 (26 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在20 页 22 页 23 页

典型应用电路图在12 页 13 页 14 页

原理图在10 页

LM5113SD/NOPB 数据手册 (26 页)

查看文档

或点击图片查看大图

LM5113SD/NOPB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

10 Pin

电源电压

4.50V (min)

封装

WSON-10

上升/下降时间

7ns, 1.5ns

输出接口数

2 Output

输出电流

5 A

针脚数

10 Position

上升时间

4 ns

下降时间

4 ns

下降时间(Max)

4 ns

上升时间(Max)

4 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

4.5 V

查看数据手册 >

LM5113SD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

查看数据手册 >

LM5113SD/NOPB 符合标准

LM5113SD/NOPB 概述

LM5113SD/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

26 页 / 2.38 MByte

LM5113SD/NOPB 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

32 页 / 1.65 MByte

LM5113 数据手册

TI（德州仪器）

增强模式 GaN FET 的 5A、100V 半桥接闸极驱动器

LM5113SD/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM5113SD/NOPB MOSFET驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10 新

LM5113SDE/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM5113SDE/NOPB 驱动器, MOSFET, 半桥, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10

LM5113TME/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM5113TME/NOPB 半桥驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, 26.5ns延迟, DSBGA-12

LM5113LLPEVB/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM5113LLPEVB/NOPB 评估模块, LM5113LLPEVB/NOPB, 100V半桥加强模式Gan FET驱动器

LM5113TMX/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

LM5113 5A ， 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

LM5113SDX/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

LM5113 5A ， 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

LM5113QDPRRQ1 数据手册

TI（德州仪器）

门驱动器 Automotive, 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 10-WSON -40 to 125

LM5113SDX 数据手册

National Semiconductor（美国国家半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号