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LM6171BIN/NOPB
器件3D模型
4.936
LM6171BIN/NOPB 数据手册 (30 页)
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LM6171BIN/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
电源电压
36.0 V
封装
DIP-8
输出电流
135 mA
供电电流
2.5 mA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
75 dB
输入补偿漂移
6.00 µV/K
带宽
160 MHz
转换速率
3.60 kV/μs
增益频宽积
100 MHz
输入补偿电压
1.5 mV
输入偏置电流
1 µA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
160 MHz
增益带宽
70 MHz
共模抑制比(Min)
75 dB
电源电压
5.5V ~ 34V
电源电压(Max)
34 V
电源电压(Min)
5.5 V

LM6171BIN/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.27 mm
宽度
6.35 mm
高度
3.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

LM6171BIN/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
30 页 / 1.6 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

LM6171 数据手册

TI(德州仪器)
高速低功耗低失真电压反馈放大器
National Semiconductor(美国国家半导体)
高速低功耗低失真电压反馈放大器 High Speed Low Power Low Distortion Voltage Feedback Amplifier
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM6171AIM/NOPB  运算放大器, 单路, 100 MHz, 1个放大器, 3600 V/µs, 5.5V 至 34V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM6171BIM/NOPB  运算放大器, 单路, 100 MHz, 1个放大器, 3600 V/µs, 5.5V 至 34V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM6171BIN/NOPB  运算放大器, 单路, 160 MHz, 1个放大器, 3600 V/µs, 5.5V 至 34V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
LM6171AIMX/NOPB 编带
TI(德州仪器)
高速运算放大器 Hi Spd Low Pwr Lo Distort Vtg Fdbk Amp
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM6171BIM  运算放大器, 单路, 100 MHz, 1个放大器, 3600 V/µs, 5.5V 至 34V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM6171BIN  运算放大器, 单路, 100 MHz, 1个放大器, 3600 V/µs, 5.5V 至 34V, DIP, 8 引脚
National Semiconductor(美国国家半导体)
高速低功耗低失真电压反馈放大器 High Speed Low Power Low Distortion Voltage Feedback Amplifier
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