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LMH6622MM/NOPB
器件3D模型
0.844
LMH6622MM/NOPB 数据手册 (33 页)
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LMH6622MM/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
输出电流
90.0 mA
供电电流
4.3 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
共模抑制比
80dB ~ 100dB
输入补偿漂移
2.50 µV/K
转换速率
80.0 V/μs
增益频宽积
160 MHz
输入补偿电压
200 µV
输入偏置电流
4.7 µA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
160 MHz
增益带宽
160 MHz
共模抑制比(Min)
80 dB
电源电压(Max)
12 V
电源电压(Min)
5 V

LMH6622MM/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
3 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

LMH6622MM/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
33 页 / 1.46 MByte
TI(德州仪器)
7 页 / 0.34 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

LMH6622 数据手册

National Semiconductor(美国国家半导体)
双宽带,低噪声, 160MHz的,运算放大器 Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers
TI(德州仪器)
双路宽带、低噪声、160MHz 运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LMH6622MA/NOPB  芯片, 运算放大器, 160MHZ, 85V/uS, SOIC-8
TI(德州仪器)
双路宽带、低噪声、160MHz 运算放大器 8-VSSOP -40 to 85
TI(德州仪器)
运算放大器 - 运放 Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers 8-SOIC -40 to 85
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LMH6622MA  运算放大器, 双路, 160 MHz, 2个放大器, 85 V/µs, ± 2.25V 至 ± 6V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
双路宽带、低噪声、160MHz 运算放大器 8-VSSOP -40 to 85
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
双宽带,低噪声, 160MHz的,运算放大器 Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LMH6622MM  运算放大器, 双路, 160 MHz, 2个放大器, 85 V/µs, ± 2.25V 至 ± 6V, MSOP, 8 引脚
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