器件3D模型

￥ 0.216

LMV358DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

LMV 系列 1 V/us 5 V 表面贴装双低压运算放大器 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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LMV358DR2G 数据手册 (20 页)

引脚图在2 页Hot

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典型应用电路图在1 页

LMV358DR2G 数据手册 (20 页)

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LMV358DR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

无卤素状态

Halogen Free

输出电流

160 mA

供电电流

210 µA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

共模抑制比

65 dB

带宽

1 MHz

转换速率

1.00 V/μs

增益频宽积

1 MHz

输入补偿电压

1.7 mV

输入偏置电流

1 nA

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

增益带宽

1 MHz

共模抑制比(Min)

50 dB

电源电压

2.7V ~ 5.5V

电源电压(Max)

5 V

电源电压(Min)

2.7 V

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LMV358DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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LMV358DR2G 符合标准

LMV358DR2G 概述

LMV358DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 0.17 MByte

LMV358DR2G 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 4.4 MByte

LMV358DR2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 0.21 MByte

LMV358DR2G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

LMV358DR2G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.58 MByte

LMV358DR2 数据手册

LMV358DR2G 数据手册

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LMV 系列 1 V/us 5 V 表面贴装双低压运算放大器 - SOIC-8

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