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> 放大器、缓冲器 > ST Microelectronics(意法半导体) > LMV358LIDT Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 0.252
LMV358LIDT 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
放大器、缓冲器
封装:
SO-8
描述:
LMV358L 系列 5.5 V 1.3 MHz 通用 运算放大器 - SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LMV358LIDT 数据手册 (21 页)
引脚图
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LMV358LIDT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
输出电流
46 mA
供电电流
130 µA
电路数
2 Circuit
针脚数
8 Position
共模抑制比
85 dB
带宽
1.3 MHz
增益频宽积
1.3 MHz
输入补偿电压
1 mV
输入偏置电流
27 nA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
1.3 MHz
共模抑制比(Min)
72 dB
电源电压
2.7V ~ 6V
查看数据手册 >
LMV358LIDT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
LMV358LIDT 符合标准
LMV358LIDT 海关信息
LMV358LIDT 数据手册
LMV358LIDT
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 1.47 MByte
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LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
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