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LMV358QDGKR
器件3D模型
0.185
LMV358QDGKR 数据手册 (50 页)
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LMV358QDGKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
供电电流
210 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
共模抑制比
50 dB
输入补偿漂移
5.00 µV/K
带宽
1 MHz
转换速率
1.00 V/μs
增益频宽积
1 MHz
输入补偿电压
1.7 mV
输入偏置电流
15 nA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
1 MHz
共模抑制比(Min)
50 dB
电源电压
2.7V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.7 V

LMV358QDGKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
3.1 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

LMV358QDGKR 数据手册

TI(德州仪器)
50 页 / 2.2 MByte
TI(德州仪器)
16 页 / 0.61 MByte
TI(德州仪器)
32 页 / 0.9 MByte

LMV358 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
低成本低功率输入/输出轨至轨运算放大器 Low cost low power input/output rail-to-rail operational amplifiers
TI(德州仪器)
LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LMV358IDT  运算放大器, 双路, 1.3 MHz, 2个放大器, 0.45 V/µs, 2.7V 至 6V, SOIC, 8 引脚
ON Semiconductor(安森美)
LMV 系列 1 V/us 5 V 表面贴装 双 低压运算放大器 - SOIC-8
TI(德州仪器)
LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
ON Semiconductor(安森美)
LMV 系列 1 V/us 5 V 表面贴装 双 低压运算放大器 - MICRO-8
TI(德州仪器)
LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LMV358IPT  运算放大器, 双路, 1.3 MHz, 2个放大器, 0.45 V/µs, 2.7V 至 6V, TSSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8
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