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Datasheet 搜索 > 运算放大器 > TI(德州仪器) > LMV831MGX/NOPB Datasheet 文档
LMV831MGX/NOPB
器件3D模型
0.505
LMV831MGX/NOPB 数据手册 (37 页)
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LMV831MGX/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
SC-70-5
输出电流
30 mA
供电电流
250 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
共模抑制比
77dB ~ 93dB
输入补偿漂移
500 nV/K
转换速率
2.00 V/μs
增益频宽积
3.3 MHz
输入补偿电压
250 µV
输入偏置电流
0.1 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
3.3 MHz
共模抑制比(Min)
77 dB
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.7 V

LMV831MGX/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

LMV831MGX/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
37 页 / 1.65 MByte
TI(德州仪器)
12 页 / 0.3 MByte

LMV831 数据手册

TI(德州仪器)
单路 3.3 MHz 低功耗 CMOS,EMI 硬化运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LMV831MG/NOPB  运算放大器, 3.3 MHz, 1个放大器, 2 V/µs, 2.7V 至 5.5V, SC-70, 5 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LMV831MGE/NOPB  运算放大器, 单路, 3.3 MHz, 1个放大器, 2 V/µs, 2.7V 至 5.5V, SC-70, 5 引脚
TI(德州仪器)
单路 3.3 MHz 低功耗 CMOS,EMI 硬化运算放大器 5-SC70 -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LMV831MGEVAL.  评估板, LMV831 3.3MHZ EMI放大器
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路3.3 MHz的低功耗CMOS , EMI硬化运算放大器 LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路3.3 MHz的低功耗CMOS , EMI硬化运算放大器 LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers
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