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LND150N3-G-P002 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:

Microchip（微芯）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

LND150N3-G-P002 数据手册 (7 页)

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LND150N3-G-P002 数据手册 (7 页)

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LND150N3-G-P002 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1000 Ω

功耗

740 mW

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

上升时间

450 ns

输入电容值(Ciss)

10pF @25V(Vds)

下降时间

1300 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

740mW (Ta)

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LND150N3-G-P002 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.21 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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LND150N3-G-P002 符合标准

LND150N3-G-P002 概述

LND150N3-G-P002 数据手册

Microchip（微芯）

7 页 / 0.58 MByte

LND150N3-G-P002 其他数据使用手册

Microchip（微芯）

4 页 / 0.02 MByte

LND150N3-G-P002 产品修订记录

Microchip（微芯）

2 页 / 0.1 MByte

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