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LND150N8
0.7
LND150N8 数据手册 (4 页)
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LND150N8 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-89
漏源极电阻
1.00 kΩ
极性
N-Channel
功耗
1.6 W
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 mA

LND150N8 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

LND150N8 数据手册

Supertex(超科)
4 页 / 0.08 MByte
Supertex(超科)
4 页 / 0.06 MByte

LND150 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
MICROCHIP  LND150N8-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
Microchip(微芯)
MICROCHIP  LND150K1-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
Microchip(微芯)
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管,Microchip
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
Supertex(超科)
Supertex(超科)
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