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LND150N8-G
0.495
LND150N8-G 数据手册 (7 页)
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LND150N8-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-89-3
额定功率
1.6 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
850 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 mA
工作温度(Max)
150 ℃

LND150N8-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
2.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

LND150N8-G 数据手册

Supertex(超科)
7 页 / 0.58 MByte
Supertex(超科)
7 页 / 0.6 MByte

LND150N8 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
MICROCHIP  LND150N8-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
Supertex(超科)
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