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器件3D模型
¥ 1.35
LT1009CDR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS LT1009CDR. 芯片, 并联电压基准, 2.5V, 10MV, 8-SOIC, 整卷
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LT1009CDR 数据手册 (17 页)
封装尺寸
在
1 页
8 页
9 页
10 页
11 页
14 页
原理图
在
2 页
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LT1009CDR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.4 %
封装
SOIC-8
输出电压
2.5 V
输出电流
10 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输出电压(Max)
2.515 V
输出电压(Min)
2.5 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
精度
0.2 %
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LT1009CDR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃
温度系数
±25 ppm/℃
查看数据手册 >
LT1009CDR 符合标准
LT1009CDR 海关信息
LT1009CDR 概述
●
分流电压参考,固定,2.4V 至 2.5V
●
### 电压参考,Texas Instruments
●
精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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LT1009CDR 数据手册
LT1009CDR
数据手册
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LT1009
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TEXAS INSTRUMENTS LT1009CLP 芯片, 电压基准, 2.5V, 20PPM/°C, 5mV, TO-92
LT1009
CDR
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TEXAS INSTRUMENTS LT1009CDR. 芯片, 并联电压基准, 2.5V, 10MV, 8-SOIC, 整卷
LT1009
IDR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LT1009IDR 电压基准, 精密, 分流 - 固定, LT1009系列, 2.5V, SOIC-8
LT1009
CD
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LT1009CD 电压基准, 精密, 分流 - 固定, LT1009系列, 2.5V, SOIC-8
LT1009
CLPR
数据手册
TI(德州仪器)
分流电压参考,固定,2.4V 至 2.5V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
LT1009
CZ#PBF
数据手册
Linear Technology(凌力尔特)
LINEAR TECHNOLOGY LT1009CZ#PBF 电压基准, 精密, 分流 - 固定, LT1009系列, 2.5V, TO-226AA-3
LT1009
ID
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LT1009ID 电压基准, 精密, 分流 - 固定, LT1009系列, 2.5V, SOIC-8
LT1009
ILP
数据手册
TI(德州仪器)
2.4V 至 2.5V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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