器件3D模型

￥ 1.381

LT1013DDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS LT1013DDR 芯片, 精密运算放大器, 2路

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

LT1013DDR 数据手册 (35 页)

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LT1013DDR 数据手册 (35 页)

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LT1013DDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

供电电流

350 µA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

共模抑制比

97 dB

输入补偿漂移

500 nV/K

带宽

1 MHz

转换速率

400 mV/μs

增益频宽积

1 MHz

输入补偿电压

200 µV

输入偏置电流

15 nA

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

增益带宽

1 MHz

共模抑制比(Min)

97 dB

电源电压

5V ~ 30V

电源电压(Max)

44 V

电源电压(Min)

4 V

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LT1013DDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

0℃ ~ 70℃

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LT1013DDR 符合标准

LT1013DDR 概述

LT1013DDR 数据手册

TI（德州仪器）

35 页 / 0.77 MByte

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