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器件3D模型
¥ 11.661
M25P32-VME6G 数据手册 - Micron(镁光)
制造商:
Micron(镁光)
分类:
Flash芯片
封装:
VDFN-8
描述:
MICRON M25P32-VME6G 闪存, 或非, 32 Mbit, 4M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, VDFPN, 8 引脚
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
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M25P32-VME6G 数据手册 (50 页)
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M25P32-VME6G 数据手册
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M25P32-VME6G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
75.0 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
VDFN-8
供电电流
12 mA
针脚数
8 Position
时钟频率
50 MHz
位数
8 Bit
内存容量
4000000 B
存取时间(Max)
8 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V
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M25P32-VME6G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >
M25P32-VME6G 符合标准
M25P32-VME6G 概述
●
M25P32-VME6G是一款32MB (4Mb x 8位)NOR串行闪存嵌入式存储器件, 8引脚VFDFPN封装. 该器件具有先进的写入保护机制, 可通过高速SPI兼容总线进行访问. 它支持高达75MHz时钟频率的高性能命令. 存储器可以使用PAGE PROGRAM指令, 每次可编程1至256字节. 该存储器被组织为64个扇区, 每个扇区256页, 每页为256个字节. 存储器可以被视为16384页或4194304byte. 整个存储器可以使用BULK ERASE指令清除, 也可以使用SECTOR ERASE指令清除单个扇区.
●
运行电压范围: 2.7V至3.6V
●
页编程 (最多256字节), 0.64ms
●
0.6s扇区清除512KB
●
VPP = 9V时, 23s与17s批量擦除
●
硬件写入保护
●
深度关断1µA
●
电子签名
●
每扇区超过100000次写周期
●
数据保留超过20年
●
环境温度范围: -40°C至85°C
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M25P32-VME6G 数据手册
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M25P32VME6
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512 Kb到32兆位,低电压,串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口 512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
M25P32V-ME6
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
M25P32-VME6G
数据手册
Micron(镁光)
MICRON M25P32-VME6G 闪存, 或非, 32 Mbit, 4M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, VDFPN, 8 引脚
M25P32-VME6TG
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Micron(镁光)
M25P32-VME6G
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32兆位,低电压,串行闪存的50MHz SPI总线接口 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface
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32兆位,低电压,串行闪存的50MHz SPI总线接口 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface
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