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器件3D模型
¥ 0.757
M29W800DB70N6E 数据手册 - Micron(镁光)
制造商:
Micron(镁光)
分类:
Flash芯片
封装:
TSOP-48
描述:
MICRON M29W800DB70N6E 闪存, 引导块, 非, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
M29W800DB70N6E 数据手册 (52 页)
封装尺寸
在
34 页
35 页
36 页
37 页
典型应用电路图
在
6 页
12 页
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M29W800DB70N6E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-48
供电电流
10 mA
针脚数
48 Position
位数
8, 16 Bit
存取时间
70 ns
内存容量
1000000 B
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V
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M29W800DB70N6E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
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M29W800DB70N6E 数据手册
M29W800DB70N6E
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M29W800DB70N6
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Micron(镁光)
M29W800DB70N6
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ST Microelectronics(意法半导体)
M29W800DB70N6
数据手册
Numonyx
M29W800DB70N6
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Micron(镁光)
MICRON M29W800DB70N6E 闪存, 引导块, 非, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
M29W800DB70N6
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Numonyx
M29W800DB70N6
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ST Microelectronics(意法半导体)
8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N6
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ST Microelectronics(意法半导体)
8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N6
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