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器件3D模型
¥ 0.77
M29W800DT70N6E 数据手册 - Micron(镁光)
制造商:
Micron(镁光)
分类:
Flash芯片
封装:
TSOP-48
描述:
MICRON M29W800DT70N6E 闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
M29W800DT70N6E 数据手册 (52 页)
封装尺寸
在
34 页
35 页
36 页
37 页
典型应用电路图
在
6 页
12 页
M29W800DT70N6E 数据手册
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M29W800DT70N6E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-48
针脚数
48 Position
位数
8, 16 Bit
存取时间
70 ns
内存容量
1000000 B
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V
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M29W800DT70N6E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
查看数据手册 >
M29W800DT70N6E 符合标准
M29W800DT70N6E 概述
●
M29W800DT70N6E是一款8Mb 3V电源非易失性闪存. 读取, 擦除和重新编程操作可以使用2.7至3.6V单电压执行. 上电时, 存储器默认为读取模式, 可以采用与ROM或EPROM相同的方式读取. 存储器被分成可以独立擦除的块, 因此可以在擦除旧数据时保留有效数据. 可以单独保护每个块, 以防止意外写入或擦除命令修改存储器. 编程和擦除命令被写入存储器的命令接口. 片上编程/擦除控制器通过用于执行存储器内容所需的所有操作, 简化了编程或擦除存储器的过程. 可以检测编程或擦除操作是否结束, 并识别任何错误条件. 控制存储器所需的命令集与符合JEDEC标准.
●
编程/擦除控制器 - 嵌入式字节/字编程算法
●
解锁旁路编程命令 - 更快的批量编程
●
临时扇区无保护模式
●
低功耗 - 待机和自动待机
●
每个扇区100000次编程/擦除周期
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M29W800DT70N6E 数据手册
M29W800DT70N6E
数据手册
Micron(镁光)
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M29W800DT70N6E
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Micron(镁光)
57 页 / 1.11 MByte
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M29W800DT70N6
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Micron(镁光)
M29W800DT-70N6
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ST Microelectronics(意法半导体)
M29W800DT70N6
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70N6
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Numonyx
M29W800DT70N6
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MICRON M29W800DT70N6E 闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
M29W800DT70N6
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