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M55342K12B100DR
器件3D模型
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M55342K12B100DR 数据手册
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M55342K12B100DR 技术参数、封装参数

类型
描述
封装(公制)
1608
封装
0603
额定功率
0.07 W
电阻
100 Ω
阻值偏差
±1 %
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

M55342K12B100DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
1.6 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.84 mm
温度系数
±100 ppm/℃

M55342K12B100 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
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