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M55342K12B10E0RS3
器件3D模型
0.709
M55342K12B10E0RS3 数据手册 (5 页)
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M55342K12B10E0RS3 技术参数、封装参数

类型
描述
容差
1 %
封装(公制)
1608
封装
0603
额定功率
0.1 W
电阻
10 kΩ

M55342K12B10E0RS3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
1.6 mm
宽度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
温度系数
±100 ppm/℃

M55342K12B10E0RS3 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
5 页 / 0.36 MByte

M55342K12B10E0 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  M55342K12B10E0R  厚膜电阻, 10KΩ, 100mW, 1%
VISHAY(威世)
厚膜电阻, 10KΩ, 100mW, 1%
VISHAY(威世)
SMD片式电阻, 0603 [1608公制], 10 kohm, RCWPM Series, 50 V, 厚膜, 100 mW
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
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