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M55342K12B10E0SWB
3.097
M55342K12B10E0SWB 数据手册 (5 页)
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M55342K12B10E0SWB 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SMD
额定功率
0.1 W
电阻
10 kΩ
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

M55342K12B10E0SWB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tray
高度
0.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
温度系数
±100.0000 ppm/℃

M55342K12B10E0SWB 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.36 MByte

M55342K12B10E0 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  M55342K12B10E0R  厚膜电阻, 10KΩ, 100mW, 1%
VISHAY(威世)
厚膜电阻, 10KΩ, 100mW, 1%
VISHAY(威世)
SMD片式电阻, 0603 [1608公制], 10 kohm, RCWPM Series, 50 V, 厚膜, 100 mW
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
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