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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Maxim Integrated(美信) > MAX2601ESA+T Datasheet 文档
MAX2601ESA+T
器件3D模型
3.795
MAX2601ESA+T 数据手册 (6 页)
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MAX2601ESA+T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
功耗
6.4 W
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
11.6 dB
最小电流放大倍数
100 @250mA, 3V
额定功率(Max)
6.4 W
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

MAX2601ESA+T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

MAX2601ESA+T 数据手册

Maxim Integrated(美信)
6 页 / 0.08 MByte
Maxim Integrated(美信)
10 页 / 0.21 MByte
Maxim Integrated(美信)
1 页 / 0.08 MByte

MAX2601 数据手册

Maxim Integrated(美信)
3.6V , 1W RF功率晶体管为900MHz的应用 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz Applications
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  MAX2601ESA+  芯片, 射频放大器
Maxim Integrated(美信)
Maxim Integrated(美信)
3.6V , 1W RF功率晶体管为900MHz的应用 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz Applications
Maxim Integrated(美信)
Maxim Integrated(美信)
3.6V , 1W RF功率晶体管为900MHz的应用 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz Applications
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