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MBR12020CT 数据手册 - GeneSiC Semiconductor

制造商:

GeneSiC Semiconductor

分类:

功率二极管

封装:

Twin Tower

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MBR12020CT 数据手册 (2 页)

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MBR12020CT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

Twin Tower

正向电压

650mV @120A

正向电流

60 A

最大正向浪涌电流

800 A

正向电压(Max)

650 mV

正向电流(Max)

120000 mA

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

查看数据手册 >

MBR12020CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

40℃ ~ 175℃

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MBR12020CT 符合标准

MBR12020CT 数据手册

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2 页 / 0.49 MByte

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