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MBR20100CT-E3/4W 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

二极管阵列

封装:

TO-220-3

描述:

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MBR20100CT-E3/4W 数据手册 (6 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

MBR20100CT-E3/4W 数据手册 (6 页)

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MBR20100CT-E3/4W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

正向电压

0.95 V

热阻

2℃/W (RθJC)

正向电流

10 A

最大正向浪涌电流

150 A

正向电压(Max)

800mV @10A

正向电流(Max)

20 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

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MBR20100CT-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.54 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.32 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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MBR20100CT-E3/4W 符合标准