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MBR20100CTF-G1
0.152
MBR20100CTF-G1 数据手册 (13 页)
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MBR20100CTF-G1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220F-3
正向电压
0.85 V
正向电流
10000 mA
正向电压(Max)
840mV @10A
正向电流(Max)
10 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

MBR20100CTF-G1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
16 mm

MBR20100CTF-G1 数据手册

Diodes(美台)
13 页 / 0.47 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
13 页 / 0.47 MByte

MBR20100 数据手册

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Vishay Semiconductor(威世)
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
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