Web Analytics
Datasheet 搜索 > 二极管阵列 > Diodes(美台) > MBRB20100CT Datasheet 文档
MBRB20100CT
0.221
MBRB20100CT 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

MBRB20100CT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电流
20.0 A
封装
TO-263-3
正向电压
800mV @10A
正向电压(Max)
840mV @10A
正向电流(Max)
20 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MBRB20100CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

MBRB20100CT 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.11 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.35 MByte

MBRB20100 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBRB20100CTT4G  肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 20 A, TO-263, 3 引脚, 950 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBRB20100CTG  肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 10 A, TO-263, 3 引脚, 950 mV
Diodes(美台)
MBRB20100CT 管装
Micro Commercial Components(美微科)
MBRB20100 系列 100 V 20 A 肖特基势垒整流器 表面贴装 - D2PAK-3
Littelfuse(力特)
肖特基整流器, 100 V, 20 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 800 mV
Diodes(美台)
二极管阵列-1-对共阴极-肖特基-100V-10A-表面贴装型-TO-263-3-D²Pak(2-引线-+-接片)-TO-263AB
VISHAY(威世)
双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor(威世)
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z