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MBRD660CTG
0.571
MBRD660CTG 数据手册 (6 页)
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MBRD660CTG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
6.00 A
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
4 Position
正向电压
700mV @3A
正向电流
6 A
最大正向浪涌电流
75 A
正向电压(Max)
900 mV
正向电流(Max)
6 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

MBRD660CTG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃

MBRD660CTG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.18 MByte

MBRD660 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
Vishay Semiconductor(威世)
Micro Commercial Components(美微科)
Motorola(摩托罗拉)
Sensitron Semiconductor
Vishay Intertechnology
Won-Top Electronics
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBRD660CTRLG  肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 6 A, TO-252, 3 引脚, 900 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBRD660CTT4G  肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 6 A, TO-252, 3 引脚, 900 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBRD660CTG  肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 6 A, TO-252, 4 引脚, 900 mV
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