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MBT2222ADW1T1
器件3D模型
0.024
MBT2222ADW1T1 数据手册 (6 页)
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MBT2222ADW1T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SC-70-6
极性
Dual NPN
功耗
150 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
35
最大电流放大倍数
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MBT2222ADW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
最小包装数量
3000

MBT2222ADW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.16 MByte

MBT2222ADW1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT2222ADW1T1G.  双极性晶体管, HFE 300
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
MBT2222ADW1T1 NPN+NPN复合三极管 75V 600mA HEF=100~300300 SOT-363/SC-88 标记XX 用于开关/数字电路
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
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