￥ 0.04

MBT3904DW1T1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-363

描述:

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MBT3904DW1T1 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

MBT3904DW1T1 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MBT3904DW1T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

200 mA

封装

SOT-363

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

集电极最大允许电流

0.2A

最小电流放大倍数

100 @10mA, 1V

额定功率(Max)

150 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

查看数据手册 >

MBT3904DW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

MBT3904DW1T1 符合标准

MBT3904DW1T1 海关信息

MBT3904DW1T1 概述

MBT3904DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.09 MByte

MBT3904DW1T1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.16 MByte

MBT3904DW1 数据手册

MBT3904DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363

MBT3904DW1T3G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

MBT3904DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

MBT3904DW1T1H 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363

MBT3904DW1T3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

MBT3904DW1T1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

MBT3904DW1T1 数据手册

Leshan Radio（乐山无线电）