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MBT3904DW1T1G
器件3D模型
￥ 0.017

MBT3904DW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
双极性晶体管
封装:
SC-70-6
描述:
ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
MBT3904DW1T1G 数据手册 (8 页)
封装尺寸在8 页
MBT3904DW1T1G 数据手册 (8 页)
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MBT3904DW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
200 mA
封装
SC-70-6
额定功率
150 mW
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW
查看数据手册 >

MBT3904DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
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MBT3904DW1T1G 数据手册

MBT3904DW1T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.09 MByte
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ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 0.15 MByte
MBT3904DW1T1G 其他参考文件
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ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363
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