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Datasheet 搜索 > 晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MBT3904DW1T3 Datasheet 文档
MBT3904DW1T3
器件3D模型
0.046
MBT3904DW1T3 数据手册 (8 页)
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MBT3904DW1T3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
200 mA
封装
SC-70-6
极性
NPN
功耗
625 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

MBT3904DW1T3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm

MBT3904DW1T3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.09 MByte

MBT3904DW1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Leshan Radio(乐山无线电)
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
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