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MBT6429DW1T1G
器件3D模型
0.034
MBT6429DW1T1G 数据手册 (5 页)
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MBT6429DW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
700 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
200 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
150 mW
增益频宽积
700 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
500 @100µA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
500
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MBT6429DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MBT6429DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.22 MByte

MBT6429DW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
MBT6429DW1T1 NPN+NPN复合三极管 55V 200mA 700MHZ HEF=500~1250 SOT-363/SC-88 标记1T 用于开关/数字电路
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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