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器件3D模型
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MC1413DG 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOIC-16
描述:
ON SEMICONDUCTOR MC1413DG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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MC1413DG 数据手册 (19 页)
引脚图
在
4 页
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封装尺寸
在
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原理图
在
3 页
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MC1413DG 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
30.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOIC-16
无卤素状态
Halogen Free
输出电压
50 V
输出电流
500 mA
针脚数
16 Position
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
1000 @350mA, 2V
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-20 ℃
输入电压
30 V
查看数据手册 >
MC1413DG 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)
查看数据手册 >
MC1413DG 符合标准
MC1413DG 海关信息
MC1413DG 概述
●
NPN 复合晶体管,On Semiconductor
●
### 标准
●
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●
### 双极性晶体管,On Semiconductor
●
ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●
小信号晶体管
●
功率晶体管
●
双晶体管
●
复合晶体管对
●
高电压晶体管
●
射频晶体管
●
双极/FET 晶体管
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
MC1413
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列
MC1413
DR2G
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ON Semiconductor(安森美)
NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
MC1413
PG
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413PG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
MC1413
BDG
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413BDG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
MC1413
BPG
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413BPG 晶体管阵列
MC1413
DG
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413DG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
MC1413
P
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ON Semiconductor(安森美)
反相输出达林顿管阵列
MC1413
BP
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外围驱动器阵列 PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
MC1413
BD
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
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