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MC33071DR2G
器件3D模型
0.413
MC33071DR2G 数据手册 (26 页)
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MC33071DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
30 mA
供电电流
1.9 mA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
共模抑制比
97 dB
增益频宽积
4.5 MHz
输入补偿电压
1 mV
输入偏置电流
100 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
4.5 MHz
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压
3V ~ 44V
电源电压(Max)
44 V
电源电压(Min)
3 V

MC33071DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

MC33071DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
26 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
30 页 / 0.52 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.26 MByte

MC33071DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3-44V Single 5mV VIO
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
MC33071/2/4、MC34071/2/4、NCV33072/4、单电源 3 V 至 44 V、运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33071/72/74、MC34071/72/74、NCV33072/74A 系列运算放大器提供单路、双路和四路配置。 它们提供 4.5 MHz 增益带宽产品、13 V/μs 转换速率和快速设置时间,无需使用 JFET 设备技术。 此系列可从分离式电源操作,但适用于单电源操作,因为共模输入电压范围包括接地电位 (VEE)。 这些运算放大器具有高输入阻抗、低输入偏置电压和高增益。所有变体提供塑料 DIP、SOIC 和 TSSOP 表面安装封装。快速设置时间:1.1 μs 至 0.1% 宽单电源工作:3 V 至 44 V 宽输入共模电压范围:包括接地 (VEE) 低输入偏置电压:3 mV 最大(以 "A" 结尾) 大输出电压摆幅:-14.7 V 至 +14 V(带 ±15 V 电源) 大电容驱动能力:0 pF 至 10000 pF 低总谐波畸变:0.02% 极佳的相位裕度:60° 极好的增益裕度:12 dB 输出短路保护 ### 运算放大器,ON Semiconductor
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