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MC33153DR2G
器件3D模型
1.06
MC33153DR2G 数据手册 (14 页)
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MC33153DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
0.00V(min), 15.0V(max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
17 ns
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
1 Output
针脚数
8 Position
功耗
560 mW
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
11.7V ~ 20V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
0 V

MC33153DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 105℃

MC33153DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.58 MByte

MC33153DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单IGBT栅极驱动器 Single IGBT Gate Driver
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MC33153DR2G  IGBT GATE DRIVER, LOW SIDE, SOIC-8 新
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