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器件3D模型
¥ 3.304
MC33179DR2G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
运算放大器
封装:
SOIC-14
描述:
ON SEMICONDUCTOR MC33179DR2G 运算放大器
Pictures:
3D模型
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焊盘图
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MC33179DR2G 数据手册 (19 页)
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MC33179DR2G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
18.0V (max)
封装
SOIC-14
无卤素状态
Halogen Free
供电电流
1.7 mA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
共模抑制比
80 dB
带宽
5 MHz
转换速率
2.00 V/μs
增益频宽积
5 MHz
输入补偿电压
1.5 mV
输入偏置电流
100 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
5 MHz
共模抑制比(Min)
80 dB
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MC33179DR2G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
8.75 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
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MC33179DR2G 符合标准
MC33179DR2G 海关信息
MC33179DR2G 概述
●
MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON Semiconductor
●
ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。
●
它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。
●
它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。
●
600 W 输出驱动能力
●
大输出电压摆幅
●
低偏置电压:0.15 mV(平均值)
●
低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时)
●
高增益带宽:5 MHz
●
高转换速率:2 V/μs
●
双电源操作:±2 V 至 ±18 V
●
输入上的静电放电钳位
●
### 运算放大器,ON Semiconductor
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