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器件3D模型
¥ 0.403
MC33201DR2G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
运算放大器
封装:
SOIC-8
描述:
MC 系列 1 V/us 12 V 低压 轨对轨 运算放大器 - SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
MC33201DR2G 数据手册 (17 页)
引脚图
在
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MC33201DR2G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
80 mA
供电电流
900 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
90 dB
带宽
2.2 MHz
转换速率
1.00 V/μs
增益频宽积
2.2 MHz
输入补偿电压
6 mV
输入偏置电流
80 nA
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
2.2 MHz
共模抑制比(Min)
60 dB
电源电压
1.8V ~ 12V
电源电压(Max)
12 V
电源电压(Min)
1.8 V
查看数据手册 >
MC33201DR2G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
4 mm
工作温度
-40℃ ~ 105℃
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MC33201DR2G 符合标准
MC33201DR2G 海关信息
MC33201DR2G 概述
●
通用 放大器 电路 满摆幅 8-SOIC
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MC33201DR2G 数据手册
MC33201DR2G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.2 MByte
MC33201DR2G
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.24 MByte
MC33201DR2G
产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
MC33201DR2G
开发手册
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.27 MByte
MC33201DR2G
产品修订记录
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.67 MByte
MC33201DR2G
产品手册
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.25 MByte
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ON Semiconductor(安森美)
MC 系列 1 V/us 12 V 低压 轨对轨 运算放大器 - SOIC-8
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