MCH3408 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.3Ω/Ohm @700mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V-2.6V 耗散功率Pd Power Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. 描述与应用| N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 •低导通电阻。 •超高速开关。 •4V驱动器