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MDD1903RH 数据手册 - MagnaChip（美格纳）

制造商:

MagnaChip（美格纳）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

LV) MOSFET这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

MDD1903RH 数据手册 (6 页)

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MDD1903RH 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

12.8A

上升时间

10.6 ns

输入电容值(Ciss)

475pF @25V(Vds)

下降时间

5.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

36.8 W

MDD1903RH 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

MDD1903RH 符合标准

MDD1903RH 概述

MDD1903RH 数据手册

MDD1903RH 其他数据使用手册

MagnaChip（美格纳）

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MDD1903 数据手册

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MagnaChip（美格纳）

LV) MOSFET这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

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