MGSF1N02LT1 数据手册 - Leshan Radio（乐山无线电）

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1..  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V

部分莱恩设备组合与能源节约性状。这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉高密度，HDTMOS过程。低RDS（ON）保证最小的功率损耗和节省能源，使这个装置使用空间敏感的电源管理电路的理想选择。典型的..

功率MOSFET 750毫安， 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts