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MGSF1N03LT1G
0.16
MGSF1N03LT1G 数据手册 (5 页)
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MGSF1N03LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
750 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
N-Channel
功耗
730 mW
阈值电压
1.7 V
输入电容
140pF @5V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.10 A, 1.60 mA
上升时间
1 ns
输入电容值(Ciss)
140pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
420 mW
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
420mW (Ta)

MGSF1N03LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MGSF1N03LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

MGSF1N03LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
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