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MGSF2N02ELT1G
0.12
MGSF2N02ELT1G 数据手册 (10 页)
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MGSF2N02ELT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
2.80 A
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.078 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
2.80 A
上升时间
95 ns
输入电容值(Ciss)
150pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
125 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)

MGSF2N02ELT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MGSF2N02ELT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MGSF2N02ELT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2.8安培, 20伏, N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V
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