MIXA80WB1200TEH

￥ 637.558

MIXA80WB1200TEH 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

E3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

MIXA80WB1200TEH 数据手册 (9 页)

2

3

4

5 典型应用电路图

6

或点击图片查看大图

MIXA80WB1200TEH 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

24 Pin

封装

E3

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

额定功率(Max)

390 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

390000 mW

MIXA80WB1200TEH 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

MIXA80WB1200TEH 符合标准

MIXA80WB1200TEH 数据手册

MIXA80WB1200TEH 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

9 页 / 0.54 MByte

MIXA80WB1200 数据手册

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