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MJ11033G
7.736
MJ11033G 数据手册 (4 页)
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MJ11033G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
-120 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-204-2
输出电压
120 V
输出电流
50 A
针脚数
2 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
300 W
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
50A
最小电流放大倍数
1000 @25A, 5V
最大电流放大倍数
18000
额定功率(Max)
300 W
直流电流增益(hFE)
18000
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 W
输入电压
5 V

MJ11033G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
38.86 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 200℃ (TJ)

MJ11033G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.18 MByte

MJ11033 数据手册

Multicomp
MULTICOMP  MJ11033  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 120 V, 300 W, 50 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJ11033/  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 120 V, 300 W, 50 A, 400 hFE
NTE Electronics
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