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MJ15022G
4.838
MJ15022G 数据手册 (3 页)
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MJ15022G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
16.0 A
封装
TO-204-2
额定功率
250 W
针脚数
2 Position
极性
NPN
功耗
250 W
击穿电压(集电极-发射极)
200 V
热阻
0.7℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
16A
最小电流放大倍数
15
最大电流放大倍数
60
额定功率(Max)
250 W
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250000 mW

MJ15022G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
材质
Silicon
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

MJ15022G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

MJ15022 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORS
Solid State
SOLID STATE  MJ15022  硅晶体管, NPN, TO-3
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Inchange Semiconductor
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