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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MJ21193 Datasheet 文档
MJ21193
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MJ21193 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-250 V
额定电流
-16.0 A
封装
TO-3
极性
Dual P-Channel
功耗
250 W
击穿电压(集电极-发射极)
-250 V
集电极最大允许电流
16A

MJ21193 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray

MJ21193 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
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