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MJ2955G
2.763
MJ2955G 数据手册 (4 页)
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MJ2955G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
2.5 MHz
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-15.0 A
封装
TO-204-2
针脚数
2 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
115 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
热阻
1.52℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
20 @4A, 4V
额定功率(Max)
115 W
直流电流增益(hFE)
2
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
115000 mW

MJ2955G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
材质
Silicon
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

MJ2955G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.06 MByte

MJ2955 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJ2955  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 2.5 MHz, 115 W, -15 A, 70 hFE
Multicomp
MULTICOMP  MJ2955  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 800 kHz, 115 W, -15 A, 5 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Solid State
SOLID STATE  MJ2955  硅晶体管, 15A, TO-3
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 70Vcer 60Vceo 15A 115W
Motorola(摩托罗拉)
Continental Device
NTE Electronics
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